33.87亿元投资建成6英寸砷化镓晶圆生产基地项目顺利验收，砷化镓晶体管

# 格创·华芯砷化镓晶圆损耗基地项目成功通过竣工验收 ## 项目概述 据珠海修安官微动态，格创·华芯砷化镓晶圆损耗基地项目近日成功通过了竣工验收。这一项目的顺利推进，标志着中国在化合物半导体领域迈出了重要一步，对提升国内半导体制造能力、推动技术自主化具有重要意义。 ## 项目投资与目标 格创·华芯砷化镓晶圆损耗基地总投资达到33.87亿元，项目被认定为广东省重点项目及珠海市产业支柱项目。该项目旨在以化合物半导体晶圆代工技术为主线，致力于建立国际一流的化合物半导体工艺平台，推出高品质、高良率的制造流程，全力支持国内企业实现射频芯片的国产化生产，争取成为中国最大的射频晶圆代工厂，推动射频科技的自强自立。 ## 厂房建设与设备投入 根据项目进展，厂房的建设已于2024年8月完成，首批设备已经成功移入厂区。这些设备包括光刻机、芯片贴标机、化学气相沉积设备、光刻胶工艺设备、扫描电子显微镜、等离子体清洗机等100余台专业半导体设备。这些设备的投入为项目的试产和量产提供了坚实的硬件基础。 到了2024年11月，项目厂房的验收完成，首条6寸砷化镓晶圆损耗线正式调通，并顺利生产出首批6寸2um砷化镓HBT晶圆。这种晶圆具备高增益、高效率的特性，可以用于提升5G Phase 7/8手机的功率放大器模块以及Wi-Fi 6/7等设备，预计将于2025年上半年实现大规模量产。 ## 政策支持与合作伙伴 值得一提的是，格创·华芯砷化镓晶圆损耗基地项目是格力集团为华芯半导体旗下的华芯微电子定制建设的5.0产业新空间。为加速射频芯片的国产化进程，格创还与中芯聚源公司合作，在2023年促使华芯（珠海）半导体有限公司完成A轮融资，助推格创·华芯砷化镓晶圆损耗基地落户珠海高新区。 ## 行业前景 中国半导体行业正面临着转型与升级的重大机遇，随着5G、物联网、人工智能等新兴技术的发展，对高性能射频芯片的需求愈加迫切。格创·华芯砷化镓晶圆损耗基地项目的成功验收不仅提升了中国在高端半导体制造领域的竞争力，更将为未来的科技发展提供充足的技术支持与产业保障。 ## 结语 综合来看，格创·华芯砷化镓晶圆损耗基地项目的顺利推进，预示着中国半导体产业正朝着自主创新和高质量发展的方向迈进。未来，随着更多项目的落地实施，中国的半导体行业有望实现更大的突破。